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再曝细节 海力士DDR5-6400内存有猛料

2020-05-24 01:17

前段时间,SK海力士近日公布了第一颗DDR5-6400内存芯片,频率高达6400MHz,是现在多数DDR4内存的两倍左右,近期,关于这款内存芯片的更多细节再度被爆料。



这款全新的内存芯片采用1ynm工艺制造,也就是第二代10nm级别工艺(DRAM工艺现在极少明确到个位数),四个金属层,面积为76.22平方毫米。现阶段成本较高,后续仍依赖于工艺的进步来抵消上涨的成本。

新内存芯片的工作电压仅为1.1V,加装了新的延迟锁定环DLL,使用了相位旋转器(phase rotator)、注频锁相振荡器(injection locked oscillator),还有新的前向反馈均衡(FFE)电路,以及新的写入均衡训练算法。

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